Оставьте заявку
Оставьте заявку и мы с вами свяжемся
Нажимая на кнопку вы даете согласие на обработку персональных данных. Политика конфиденциальности
Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.
предконференция №2
Электронная компонентная база и радиоэлектронные системы
17–18 сентября 2026 Зеленоград, площадь Шокина, дом 1
Предконференция №2 «Электронная компонентная база и радиоэлектронные системы»
Координаторы Предконференции
Организатор
Программа Предконференции №2
В программе возможны изменения
В программе возможны изменения
17 сентября 2026
09:00-10:00
Регистрация участников
10:00-10:05
Открытие предконференции
академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, президент МИЭТ
академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, президент МИЭТ
10:05-10:10
Приветственное обращение (видео)
Шпак Василий Викторович, заместитель министра промышленности и торговли Российской Федерации
Шпак Василий Викторович, заместитель министра промышленности и торговли Российской Федерации
10:10-10:50
Квантовые эффекты и топологические состояния в современной молекулярной электронике
академик РАН Горбацевич Александр Алексеевич, ФИАН, НИУ МИЭТ
академик РАН Горбацевич Александр Алексеевич, ФИАН, НИУ МИЭТ
10:50-11:30
Эволюция систем искусственного интеллекта: мировая повестка, национальные приоритеты РФ и междисциплинарные аспекты
член-корреспондент РАН Храмов Александр Евгеньевич, Российский экономический университет имени Г. В. Плеханова
член-корреспондент РАН Храмов Александр Евгеньевич, Российский экономический университет имени Г. В. Плеханова
11:30-12:10
Спинтронные устройства для 5G технологий
д.ф.м.н., проф. РАН Сафин Ансар Ризаевич, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
д.ф.м.н., проф. РАН Сафин Ансар Ризаевич, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
12:10-12:30
КОФЕ-БРЕЙК, стендовые доклады
12:30-13:10
Микроэлектроника для специальной техники: основные направления развития
к.т.н. Янко Денис Викторович, гл. эксперт НТК
к.т.н. Янко Денис Викторович, гл. эксперт НТК
13:10-13:50
Новый метод оценки радиационной стойкости микроэлектроники
д.т.н. Сазонов Василий Викторович, МГУ
д.т.н. Сазонов Василий Викторович, МГУ
13:50-14:20
К технологическому лидерству в микроэлектронных имплантируемых нейроинтерфейсах
к.т.н. Пожар Кирилл Витольдович, НИУ МИЭТ
к.т.н. Пожар Кирилл Витольдович, НИУ МИЭТ
14:20-15:00
ОБЕД
15:00-15:15
Разработка технологических процессов создания ФИС с использованием гетерогенной интеграции пассивных и активных компонентов
Тимошенков Андрей Сергеевич, НИУ МИЭТ
Тимошенков Андрей Сергеевич, НИУ МИЭТ
15:15-15:30
Технология роста интерфейсных материалов системы металл-кремний с использованием физического осаждения и ТФЭ: история разработки, принципы и применение
д.ф.-м.н. Плюснин Николай Инокентьевич, ИНМЭ РАН
д.ф.-м.н. Плюснин Николай Инокентьевич, ИНМЭ РАН
15:30-15:45
Управляемый газонаполненный разрядник-обостритель высокого давления
к.т.н. Маханько Дмитрий Сергеевич, АО «Плазма»
к.т.н. Маханько Дмитрий Сергеевич, АО «Плазма»
15:45-16:00
Использование методики 2D-масштабирования для упрощения процедуры определения Spice-параметров биполярных транзисторов с различной топологией
Дюканов Павел Алексеевич, АО «ДЦ Кристал»
Дюканов Павел Алексеевич, АО «ДЦ Кристал»
16:00-16:15
Физическое моделирование статических вольтамперных характеристик мощных SIC МОП транзисторов при разных температурах
д.т.н. Зебрев Геннадий Иванович, НИЯУ МИФИ
д.т.н. Зебрев Геннадий Иванович, НИЯУ МИФИ
16:15-16:30
Ввод излучения в волноводный слой из двуокиси титана с помощью полимерной копии пилообразной дифракционной решётки
Соловьев Владимир Степанович, НИУ МИЭТ
Соловьев Владимир Степанович, НИУ МИЭТ
16:30-16:45
Инфрастуктурные решения гетерогенных массово-параллельных и конвейерных систем
Дуксина Илона Ильинична, РТУ МИРЭА
Дуксина Илона Ильинична, РТУ МИРЭА
16:45-17:00
Новые резистивные материалы для процессов литографии на основе комплексов металлов с алифатическими полиэфирами
Зубов Дмитрий Николаевич, ИНМЭ РАН
Зубов Дмитрий Николаевич, ИНМЭ РАН
17:00-17:15
Построение моделей ионных квантовых операций с учётом калибровочной неоднозначности
Дмитриев Илья Алексеевич, НИЦ «Курчатовский институт»
Дмитриев Илья Алексеевич, НИЦ «Курчатовский институт»
17:15-17:30
Способ переноса проектов электронных модулей между различными САПР
Васютин Александр Олегович, МФТИ
Васютин Александр Олегович, МФТИ
17:30-18:00
КОФЕ-БРЕЙК, стендовые доклады
18:00-18:15
Разработка комплекса программ для автоматизации проектирования цифровых схем в базисе отечественных ПЛИС
Чочаев Рустам Жамболатович, НИУ МИЭТ
Чочаев Рустам Жамболатович, НИУ МИЭТ
18:15-18:30
Реализация элементов визуального маршрута обработки топологических данных ИС
Кульпинов Михаил Сергеевич, НИУ МИЭТ
Кульпинов Михаил Сергеевич, НИУ МИЭТ
18:30-18:45
Алгоритм взаимодействия распределённых инерциальных навигационных систем на основе двухкритериального информационного фильтра
Савчиц Александр Сергеевич, НИУ МИЭТ
Савчиц Александр Сергеевич, НИУ МИЭТ
18:45-19:00
Минимизация коробления органической мультизаготовки многовыводных микросхем после проведения операции корпусирования методом высокотемпературного литья под давлением
Рабцевич Вадим Александрович, НИУ МИЭТ
Рабцевич Вадим Александрович, НИУ МИЭТ
19:00-19:15
Особенности проектирования быстродействующих SiGe операционных усилителей с минимальным саморазогревом транзисторов входного дифференциального каскада
Клейменкин Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
Клейменкин Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
18 сентября 2026
09:00-10:00
Регистрация участников
10:00-10:15
Расчёт выходных амплитуд квантовых состояний фотонного чипа методом производящих функций
Кокшаров Кирилл Борисович, НИУ МИЭТ
Кокшаров Кирилл Борисович, НИУ МИЭТ
10:15-10:30
Наблюдение фотозарядного эффекта при воздействии видимого импульсного излучения
Кобзев Владимир Михайлович, НИУ МИЭТ
Кобзев Владимир Михайлович, НИУ МИЭТ
10:30-10:45
Особенности настройки двойного конденсора в электронно-лучевом литографе с форматным лучом
Кубраков Роман Владимирович, НИУ МИЭТ
Кубраков Роман Владимирович, НИУ МИЭТ
10:45-11:00
Квантовая телепортация многоуровневых квантовых состояний в условиях влияния квантовых шумов
Голышев Иван Константинович, НИУ МИЭТ, НИЦ «Курчатовский институт»
Голышев Иван Константинович, НИУ МИЭТ, НИЦ «Курчатовский институт»
11:00-11:15
Решение задачи конвертации топологической информации в формат данных экспонирования для установки электронно-лучевой литографии
Климушкин Даниил Александрович, НИУ МИЭТ
Климушкин Даниил Александрович, НИУ МИЭТ
11:15-11:30
Модели символьной синхронизации в системах связи с прямым расширением спектра
Аришин Илья Васильевич, НИУ МИЭТ
Аришин Илья Васильевич, НИУ МИЭТ
11:30-12:00
КОФЕ-БРЕЙК, стендовые доклады
12:00-12:15
Особенности проектирования (выбора) операционных усилителей для дискретно-аналоговых фильтров на переключаемых конденсаторах
Кузнецов Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
Кузнецов Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
12:15-12:30
Частотно-модулированный приёмопередатчик 868 МГц на отечественной ЭКБ
Стародубов Владислав Дмитриевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
Стародубов Владислав Дмитриевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
12:30-12:45
Исследование влияния частоты импульсов волоконного лазера на тепловые процессы селективного лазерного плавления сплава Al-Mg-Sc
Волков Сергей Владиславович, НИУ МИЭТ
Волков Сергей Владиславович, НИУ МИЭТ
12:45-13:00
Автоматизация распределения вычислительных задач в гетерогенных вычислительных системах
Щепухин Денис Олегович, РТУ МИРЭА
Щепухин Денис Олегович, РТУ МИРЭА
13:00-13:15
Экспериментальные исследования универсального дискретно-аналогового фильтрах второго порядка на современной ЭКБ
Кузнецов Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
Кузнецов Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
13:15-13:30
Разработка схем управления питанием GaN СВЧ-усилителей мощности на основе отечественных технологических процессов
Сидоров Денис Николаевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
Сидоров Денис Николаевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
13:30-13:45
Разработка предварительного усилителя мощности СВЧ-диапазона для базовых станций 5G на отечественной электронной компонентной базе
Евлампьев Андрей Юрьевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
Евлампьев Андрей Юрьевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
13:45-14:00
Математическая модель электростатического крепёжного устройства для оборудования по производству электронной компонентной базы
Трактирщиков Виктор Сергеевич, НИУ МИЭТ
Трактирщиков Виктор Сергеевич, НИУ МИЭТ
14:00-15:00
ОБЕД
15:00-15:15
Разработка КМОП преобразователя сигнала для безметочного детектирования маркеров заболеваний на основе импедансометрии
Лазарев Артём Андреевич, ИНМЭ РАН
Лазарев Артём Андреевич, ИНМЭ РАН
15:15-15:30
Использование фемтосекундного лазера для скрайбирования кристаллов β-Ga2O3 с последующим скалыванием
Кузьмин Роман Александрович, Университет ИТМО
Кузьмин Роман Александрович, Университет ИТМО
15:30-15:45
Исследование процессов формирования медной коммутации на поверхности заготовок из различных высоконаполненных формовочных компаундов посредством микрообработки инфракрасным наносекундным лазером
Беляков Игорь Андреевич, НИУ МИЭТ
Беляков Игорь Андреевич, НИУ МИЭТ
15:45-16:00
Обзор основных конструктивных решений, применяемых в производственном оборудовании для групповой технологии установки шариков припоя
Кухарь Максим Вадимович, НИУ МИЭТ
Кухарь Максим Вадимович, НИУ МИЭТ
16:00-16:15
Разработка алгоритма верификации конфигурации ПЛИС
Журавлев Владислав Анатольевич, НИЦ «Курчатовский институт»
Журавлев Владислав Анатольевич, НИЦ «Курчатовский институт»
16:15-16:30
Исследование возможностей создания прототипа геофона на основе микромеханических датчиков
Усов Михаил Игоревич, НИУ МИЭТ
Усов Михаил Игоревич, НИУ МИЭТ
16:30-17:00
КОФЕ-БРЕЙК, стендовые доклады
17:00-17:15
Компенсация дрейфа ионно-чувствительных сенсоров в реальном времени методами машинного обучения для задач экспресс-диагностики
Головков Максим Вячеславович, ИНМЭ РАН
Головков Максим Вячеславович, ИНМЭ РАН
17:15-17:30
Проектирование HART-модема на основе восстановления векторной диаграммы сигнала
Тарасов Антон Ильич, РТУ МИРЭА
Тарасов Антон Ильич, РТУ МИРЭА
17:30-17:45
Интеграция открытого инструмента статического временного анализа в программу логического ресинтеза цифровых СБИС
Пахомов Леонид Алексеевич, НИУ МИЭТ
Пахомов Леонид Алексеевич, НИУ МИЭТ
17:45-18:00
Особенности контроля перекрёстных помех в мультикристальных сборках и микроэлектронных системах в корпусе
Семёнов Сергей Петрович, НИУ МИЭТ
Семёнов Сергей Петрович, НИУ МИЭТ
18:00-18:15
Модулятор Маха-Цендера на TFLN с золотым основанием
Егоров Павел Александрович, НИУ МИЭТ
Егоров Павел Александрович, НИУ МИЭТ
18:15-18:30
Блок управления питанием для контроллера PCI Express
Зайцева Екатерина Сергеевна, НИЦ «Курчатовский институт» – НИИСИ
Зайцева Екатерина Сергеевна, НИЦ «Курчатовский институт» – НИИСИ
18:30-18:45
Сравнительный анализ методик измерения радиочастотных характеристик транзисторов методом переменной нагрузки (Load Pull) с учётом импеданса нагрузки и генератора на второй гармонике
Аришина Кристина Николаевна, ООО «Радис ЛТД»
Аришина Кристина Николаевна, ООО «Радис ЛТД»
18:45-19:00
Влияние конструкции МЭМС-микроразъёма с объёмными трапециевидными контактами на частотные характеристики
Гаврилова Анна Александровна, НИУ МИЭТ
Гаврилова Анна Александровна, НИУ МИЭТ
19:00
Закрытие предконференции
Заочные доклады
1
Разработка технологических процессов создания ФИС с использованием гетерогенной интеграции пассивных и активных компонентов
Тимошенков Андрей Сергеевич, НИУ МИЭТ
Тимошенков Андрей Сергеевич, НИУ МИЭТ
2
Контактное термическое сопротивление
к.т.н. Криворучко Марк Муратович, НИУ МИЭТ
к.т.н. Криворучко Марк Муратович, НИУ МИЭТ
На Предконференции №2 «Электронная компонентная база и радиоэлектронные системы» рассматриваются вопросы проектирования, технологии изготовления электронной компонентной базы, микросистемной техники, анализ квантовых эффектов, исследование материалов, технологических процессов, технологического оборудования.
Обсуждаются вопросы проектирования, анализа и экспериментального исследования информационно-управляющих и радиотехнических систем, включая исследование и разработку сложно-функциональных блоков, структурных и архитектурных решений, алгоритмов цифровой обработки сигналов и способов их технической реализации.
Секции Предконференции:
— Информационно-управляющие и радиотехнические системы;
— Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники;
— Микросистемы. Сенсоры и актюаторы;
— Специальное технологическое оборудование;
— Квантовые технологии;
— Материалы микро- и наноэлектроники.
Обсуждаются вопросы проектирования, анализа и экспериментального исследования информационно-управляющих и радиотехнических систем, включая исследование и разработку сложно-функциональных блоков, структурных и архитектурных решений, алгоритмов цифровой обработки сигналов и способов их технической реализации.
Секции Предконференции:
— Информационно-управляющие и радиотехнические системы;
— Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники;
— Микросистемы. Сенсоры и актюаторы;
— Специальное технологическое оборудование;
— Квантовые технологии;
— Материалы микро- и наноэлектроники.
Повышайте квалификацию на Российском форуме «Микроэлектроника»: дополнительное развитие с пользой и перспективами!
Всем зарегистрированным участникам Российского форума «Микроэлектроника» предлагается по желанию пройти расширенную программу повышения квалификации (дополнительного профессионального образования – ПК ДПО) и получить новый образовательный опыт.
Подробнее о программе повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ →
Если вы участник Предконференции №2 в вашем Личном кабинете участника имеется возможность зарегистрироваться на обучение, выбрав программу от одного из ведущих организаций-поставщиков образовательных услуг НИУ МИЭТ.
Для прохождения программы повышения квалификации «Основные направления развития отечественной электронной компонентной базы и средств её проектирования и производства» необходимо посещение Предконференции №2 и одной из секций на выбор – Секции №3, №4, №8, №11 научной конференции «ЭКБ и микроэлектронные модули» форума «Микроэлектроника».
Программа разработана в Передовой инженерной школе «Средства проектирования и производства электронной компонентной базы».
Форма обучения: очно-заочная.
Докладчики Форума получат преимущества при прохождении итоговой аттестации.
Всем зарегистрированным участникам Российского форума «Микроэлектроника» предлагается по желанию пройти расширенную программу повышения квалификации (дополнительного профессионального образования – ПК ДПО) и получить новый образовательный опыт.
Подробнее о программе повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ →
Если вы участник Предконференции №2 в вашем Личном кабинете участника имеется возможность зарегистрироваться на обучение, выбрав программу от одного из ведущих организаций-поставщиков образовательных услуг НИУ МИЭТ.
Для прохождения программы повышения квалификации «Основные направления развития отечественной электронной компонентной базы и средств её проектирования и производства» необходимо посещение Предконференции №2 и одной из секций на выбор – Секции №3, №4, №8, №11 научной конференции «ЭКБ и микроэлектронные модули» форума «Микроэлектроника».
Программа разработана в Передовой инженерной школе «Средства проектирования и производства электронной компонентной базы».
Форма обучения: очно-заочная.
Докладчики Форума получат преимущества при прохождении итоговой аттестации.
Условия участия в Предконференции №2
Финансовые условия участия в Форуме гибко учитывают выбранный формат участия – очное или заочное, только в Предконференции или во всех мероприятиях Форума, а также предусматривают существенные льготы для аспирантов и студентов, в том числе бесплатное заочное участие в Предконференции. Принятые условия позволят всем категориям специалистов наиболее эффективно участвовать в работе конференции и публиковать свои работы при оптимальном бюджете участия, а также при минимизации влияния медицинских рисков и ограничений.
Докладчики Предконференции №2 имеют возможность публикации своих докладов в общем порядке, установленном для всех участников Форума.
Докладчики Предконференции №2 — участники основных мероприятий Форума — получат возможность представить свои материалы в формате стендового доклада и принять участие в его обсуждении, а также без дополнительной оплаты пройти программу повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ.
Финансовые условия участия в Форуме гибко учитывают выбранный формат участия – очное или заочное, только в Предконференции или во всех мероприятиях Форума, а также предусматривают существенные льготы для аспирантов и студентов, в том числе бесплатное заочное участие в Предконференции. Принятые условия позволят всем категориям специалистов наиболее эффективно участвовать в работе конференции и публиковать свои работы при оптимальном бюджете участия, а также при минимизации влияния медицинских рисков и ограничений.
Докладчики Предконференции №2 имеют возможность публикации своих докладов в общем порядке, установленном для всех участников Форума.
Докладчики Предконференции №2 — участники основных мероприятий Форума — получат возможность представить свои материалы в формате стендового доклада и принять участие в его обсуждении, а также без дополнительной оплаты пройти программу повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ.
СОСТАВ ОРГКОМИТЕТА ПРЕДКОНФЕРЕНЦИИ №2
- академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, НИУ МИЭТ
- д.т.н., проф. РАН Переверзев Алексей Леонидович, НИУ МИЭТ
- к.т.н. Бирюков Михаил Георгиевич, АО «НИИТМ»
- д.ф.-м.н.Богданов Юрий Иванович, ФТИАН
- д.т.н. Бокарев Валерий Павлович, АО «НИИМЭ»
- д.т.н. Бычков Игнат Николаевич, ПАО «ИНЭУМ им. И. С. Брука»
- д.ф.м.н. Павлов Александр Александрович, ИНМЭ РАН
- член-корреспондент РАН Светухин Вячеслав Викторович, НПК «Технологический центр»
- д.т.н. Тимошенков Сергей Петрович, НИУ МИЭТ
- д.т.н. Шелепин Николай Алексеевич, ИНМЭ РАН
- к.ф.-м.н. Шипицин Дмитрий Святославович, АО «НИИМЭ»
- д.т.н. Якунин Алексей Николаевич, НИУ МИЭТ